STP18NM60ND
Скачать datasheet 04023J0R3ABSTR.pdf Файл формата Pdf (20 страниц, 397,88 kb)
STP18NM60ND datasheet
-
МаркировкаSTP18NM60ND
-
ПроизводительSTMicroelectronics
-
ОписаниеSTMicroelectronics STP18NM60ND RoHS: yes Transistor Polarity: N-Channel Drain-Source Breakdown Voltage: 650 V Gate-Source Breakdown Voltage: +/- 25 V Continuous Drain Current: 13 A Resistance Drain-Source RDS (on): 0.29 Ohms Configuration: Single Maximum Operating Temperature: + 150 C Mounting Style: Through Hole Package / Case: TO-220-3 Fall Time: 18 ns Gate Charge Qg: 34 nC Minimum Operating Temperature: - 55 C Power Dissipation: 130 W Rise Time: 15.5 ns Typical Turn-Off Delay Time: 13 ns
-
Количество страниц22 шт.
-
Форматы файлаHTML, PDF
Где можно купить
Новости электроники
12.06.2024
Сотрудничество двух компаний Sphere Entertainment Co. и STMicroelectronics позволило создать крупнейший в мире датчик изображения для системы камер Sphere's Big Sky. Big Sky — это новейшая система камер сверхвысокого разрешения, используемая для съемки контента для Sphere, развлекательного средства нового поколения в Лас-Вегасе.
' width="293" height="218" /> Крупнейший датчик изображения для системы камер Big Sky11.06.2024
10.06.2024