STP180N10F3
Скачать datasheet 04023J0R3ABSTR.pdf Файл формата Pdf (20 страниц, 397,88 kb)
STP180N10F3 datasheet
-
МаркировкаSTP180N10F3
-
ПроизводительSTMicroelectronics
-
ОписаниеSTMicroelectronics STP180N10F3 Product Category: MOSFET RoHS: yes Transistor Polarity: N-Channel Drain-Source Breakdown Voltage: 100 V Gate-Source Breakdown Voltage: 20 V Continuous Drain Current: 120 A Resistance Drain-Source RDS (on): 4.5 mOhms Mounting Style: Through Hole Package / Case: TO-220 Fall Time: 6.9 ns Gate Charge Qg: 114.6 nC Power Dissipation: 315 W Rise Time: 97.1 ns
-
Количество страниц16 шт.
-
Форматы файлаHTML, PDF
Где можно купить
Новости электроники
12.06.2024
Сотрудничество двух компаний Sphere Entertainment Co. и STMicroelectronics позволило создать крупнейший в мире датчик изображения для системы камер Sphere's Big Sky. Big Sky — это новейшая система камер сверхвысокого разрешения, используемая для съемки контента для Sphere, развлекательного средства нового поколения в Лас-Вегасе.
' width="293" height="218" /> Крупнейший датчик изображения для системы камер Big Sky11.06.2024
10.06.2024